Vad är skillnaden mellan flyktigt minne och icke-flyktigt minne?


Svar 1:

Flyktigt minne - lagringsmedium som kräver en strömkälla.

Det bästa exemplet är DRAM, som fungerar baserat på kapacitans. Varje bitvärde motsvarar laddningen i en kondensator. Kondensatorer är dock läcka, så DRAM måste kontinuerligt uppdateras så att varje kondensator behåller sin lämpliga laddningsnivå. När strömmen tas bort från DRAM tappar kondensatorerna laddningen och minnet raderas.

Icke-flyktigt minne - Lagring kräver inte en strömkälla.

Exempel inkluderar flash-enheter, läsminne, ssd, etc. Flash-enheter integrerar flytande grindtransistorer för att lagra laddning (t.ex. och därmed bitlagringsvärden) i avsaknad av strömförsörjning.


Svar 2:

Volatile Memory, din vanliga DRAM-typ, innebär att det inte kommer att behålla information efter att strömmen har gått till minnet.

Icke-flyktigt minne är dina, mer avancerade, men ändå mainstream, PRAM, FRAM och MRAM, typer, som använder magnetik för att lagra minne. Det riktigt speciella med dessa typer av minne är att de lagrar minnet även efter att strömmen har skurits till dem OCH de inte försämras, de kommer aldrig bara att sluta fungera på grund av ålder! Dessa moduler är dock mycket dyra och med tanke på RAM-priserna för närvarande skulle dessa vara några av de dyraste RAM-minnet någonsin.


Svar 3:

Volatile (V) -minne kräver en konstant strömkälla för att behålla sitt innehåll, det icke-flyktiga * NV) minnet gör det inte.

Exempel på V-minne är DRAM, SRAM och IRAM

Exempel på NV-minne är ROM, Flash, EEPROM, F-RAM, etc.

Så varför används V-minne för huvudsystemminnet och inte NV-alternativ? Enkelt svar - NV-minnet har ett begränsat antal skrivningar innan det misslyckas, V-minnet lider inte av samma problem.

NV tolererar vanligtvis mellan 100 000 och 1 000 000 skrivningar innan det misslyckas, om du använde det som systemminne skulle det misslyckas i kort ordning med tanke på hur ofta RAM skrivs till.

Hoppas att det hjälper.